Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP316PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP316PL
BSP316PL6327HTSA1 Hakkında
BSP316PL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 680mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT223-4 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 1.8Ω maksimum açık durumda direnç değerine sahiptir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir işlem gerçekleştirir. Düşük gate charge (6.4nC @ 10V) ve kontrollü input kapasitanası sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, anahtarlama regülatörleri ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücü tasarımlarında kullanılmaktadır. Not: Bu bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) durumda olup, stok tükenme ihtimaline karşı alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 680mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 146 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 680mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok