Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP316PE6327
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP316PE6327
BSP316PE6327 Hakkında
BSP316PE6327, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesiyle ve 680mA sürekli dren akımıyla tasarlanmıştır. SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1.8Ohm maksimum RdsOn değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, anahtarlama devrelerinde, kontrol aplikasyonlarında ve düşük güç P-Channel MOSFET gerektiren endüstriyel elektronik tasarımlarında yer alır. Gate charge 6.4nC ve input capacitance 146pF özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 2V threshold voltajı ile güvenli operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 680mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 146 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 680mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok