Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP315PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP315
BSP315PL6327HTSA1 Hakkında
BSP315PL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ile 1.17A sürekli drain akımı sağlar. TO-261-4 (SOT223) yüzey montajlı paket ile uygulamalara entegre edilir. 800mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç disipasyonu 1.8W'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılır. Analog anahtarlama, güç yönetimi, DC/DC dönüştürücüler ve motor kontrolü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 7.8nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 1.17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 160µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok