Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP300H6327XUSA1
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP300H6327
BSP300H6327XUSA1 Hakkında
BSP300H6327XUSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 190mA sürekli dren akımı kapasitesi ve 20Ω Rds(on) değeri ile orta güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürüş gerilimi ile lojik seviye kontrolü sağlanabilir. TO-261-4 SMD paket içinde gelen bu bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Endüstriyel kontrol devreleri, SMPS (Switched-Mode Power Supply), motor sürücüleri ve koruma devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen üretimi sona ermiştir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 190mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok