Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP299L6327HUSA1
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP299L6327
BSP299L6327HUSA1 Hakkında
BSP299L6327HUSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj kapasitesi ve 400mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT223-4 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate drive voltajında 4Ohm'luk Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Maksimum 4V eşik voltajı ve ±20V gate-source voltaj kapasitesi ile karakterizedir. 1.8W güç dağıtım kapasitesi bulunmaktadır. İçerik olarak Obsolete durumda olan bu MOSFET, kontrol ve anahtarlama uygulamalarında, özellikle orta voltajlı güç elektronik devrelerinde kullanılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok