Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP299H6327XUSA1
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP299
BSP299H6327XUSA1 Hakkında
BSP299H6327XUSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 400mA sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevi görür. TO-261-4 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V gatE sürme geriliminde 4Ω maksimum kanallar direnci sağlar. -55°C ile 150°C arası sıcaklıklarda çalışan BSP299H6327XUSA1, güç kaynakları, motorlar kontrolü, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. 400pF giriş kapasitesi hızlı anahtarlama performansı sağlar. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok