Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP299 E6327
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP299
BSP299 E6327 Hakkında
BSP299 E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltajı ve 400mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-261-4 (SOT223) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 4Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 1.8W maksimum güç tüketimi ile karakterize edilmiştir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 400pF giriş kapasitansı ve ±20V maksimum gate-source voltajı ile hassas kontrol sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok