Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP298L6327HUSA1

MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP298L6327

BSP298L6327HUSA1 Hakkında

BSP298L6327HUSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürücü geriliminde 3Ω maksimum RDS(on) değeriyle düşük kayıp uygulamalarına uygundur. Surface Mount SOT223-4 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 1.8W maksimum güç tüketimiyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4-21
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok