Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP298H6327XUSA1
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP298H6327
BSP298H6327XUSA1 Hakkında
BSP298H6327XUSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 400V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 10V gate drive geriliminde 3Ohm maksimum on-state direnci (Rds On) sunar. SOT223-4 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki sıcaklık aralığında çalışabilir. 1.8W maksimum güç tüketimi ve 400pF giriş kapasitanslı yapısı ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve düşük sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulama yelpazesini destekler. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok