Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP297L6327HTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP297L6327
BSP297L6327HTSA1 Hakkında
BSP297L6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 660mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 1.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. SOT223-4 yüzey montajlı paket tipi sayesinde kompakt tasarımlar için uygundur. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve genel amaçlı dijital kontrol uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 16.1nC gate charge ve 357pF giriş kapasitansı ile hızlı komütasyon karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 357 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok