Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP296NL6327HTSA1

MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP296NL

BSP296NL6327HTSA1 Hakkında

BSP296NL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. SOT223-4 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında işletim yapabilir ve maksimum 1.8W güç dağıtabilir. 6.7nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar. Surface mount teknolojisi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun montajı mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 152.7 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok