Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP296NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP296NH6433XTMA1
BSP296NH6433XTMA1 Hakkında
BSP296NH6433XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim ve 1.2A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 600mOhm maksimum RDS(on) değerine sahip olup, düşük on-direnç karakteristiği sayesinde enerji verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT223-4 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 4.5V ile 10V sürüş geriliminde çalışabilmektedir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri ve genel amaçlı dijital kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 152.7 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok