Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP296NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP296NH

BSP296NH6327XTSA1 Hakkında

BSP296NH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 1.2A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu komponent, düşük Rds(on) değeri (600mOhm @ 10V) sayesinde verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulan BSP296NH, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans sağlar. LED sürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate voltaj aralığı ve 1.8V eşik voltajı hızlı ve kontrollü anahtarlama imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 152.7 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok