Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP296L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP296L6327
BSP296L6327HTSA1 Hakkında
BSP296L6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. 700mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük gerilim düşüşü sağlar. 4.5V drive voltajında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. SOT223-4 yüzeye montajlı paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun, -55°C ile 150°C arasında güvenilir performans sunar. 1.79W maksimum güç tüketimi ile enerji verimli devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 364 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.79W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok