Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP296E6327
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP296
BSP296E6327 Hakkında
BSP296E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 1.1A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 700mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT223-4 (PG-SOT223-4) yüzey montajlı paketinde sunulur. Düşük gate charge değeri (17.2nC) hızlı anahtarlama özellikleri destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Ürün şu anda obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 364 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.79W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok