Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP295E6327T
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP295
BSP295E6327T Hakkında
BSP295E6327T, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 300mOhm maksimum açık kanal direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan bu MOSFET, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 17nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar. Bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 368 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok