Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP250,115

MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP250

BSP250,115 Hakkında

BSP250,115, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT223 yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uyumludur. 250mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş kayıpları sağlar. Anahtar, inverter, güç yönetimi, batarya koruma devreleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.65W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok