Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP179H6327XTSA1
MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP179
BSP179H6327XTSA1 Hakkında
BSP179H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 400V Drain-Source gerilimi ve 210mA sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, düşük gate charge (6.8 nC @ 5V) ve 18Ω on-resistance özellikleriyle karakterize edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama devreleri, amplifikatör uygulamaları ve düşük sinyal işleme sistemlerinde kullanıma uygundur. Maksimum 1.8W güç tüketimi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 210mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18Ohm @ 210mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 94µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok