Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP171PE6327T
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP171
BSP171PE6327T Hakkında
BSP171PE6327T, Infineon Technologies tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 1.9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 300mOhm (10V, 1.9A) RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunar. SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 1.8W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile uygulamalar için uygun şekilde tasarlanmıştır. Düşük gate charge (20nC@10V) ile hızlı anahtarlamayı destekler. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 460µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok