Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP170PE6327
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP170
BSP170PE6327 Hakkında
BSP170PE6327, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 1.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 300mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve genel amaçlı dijital uygulamalarda kullanılır. Gate gerilimi ±20V'a kadar tolerans gösterir ve 14nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok