Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP149L6906HTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP149
BSP149L6906HTSA1 Hakkında
BSP149L6906HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 200V Drain-Source gerilimi ve 660mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. Maksimum 1.8Ω Rds(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. Gate charge değeri 14nC olup hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. TO-261-4 (SOT223) paketinde gelen bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1.8W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve güç yönetim sistemlerinde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok