Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP149L6327HTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP149L6327
BSP149L6327HTSA1 Hakkında
BSP149L6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 200V drain-source gerilimi ve 660mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 1.8Ohm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. SOT223-4 yüzey montaj paketine sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği 5V'de 14nC, input kapasitansi 25V'de 430pF'dir. Endüstriyel kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 1.8W güç yayılım kapasitesi ile kompakt tasarımlara uygun bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok