Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP149H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP149
BSP149H6327XTSA1 Hakkında
BSP149H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel depletion mode MOSFET'tir. 200V drain-source gerilim kapasitesi ve 660mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT223-4 (TO-261AA) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 1.8Ω maksimum on-state direnci ve 14nC gate charge karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen BSP149, analog anahtarlama, sinyal değiştirme ve düşük frekanslı kontrol devrelerinde uygulanır. 10V gate geriliminde maksimum 1.8W güç tüketebilir ve ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş çalışma aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok