Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP149 E6906

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP149

BSP149 E6906 Hakkında

BSP149 E6906, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 200V Drain-Source gerilimi ve 660mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile çalışır. SOT223-4 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V gate geriliminde 1.8Ω maksimum Rds(On) değerine sahiptir. 1.8W maksimum güç yayılımı ile anahtarlama uygulamaları, sürücü devreleri ve düşük sinyal işleme devrelerinde kullanılabilir. 430pF giriş kapasitansi ve 14nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 660mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 400µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok