Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP149 E6327
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP149
BSP149 E6327 Hakkında
BSP149 E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim ve 660mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 1.8Ohm on-state direncine (Rds On) ve 1.8W maksimum güç dağılım kapasitesine sahip olan bu bileşen, SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen BSP149, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Surface mount teknolojisi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun olan bu transistör, 14nC gate charge ve 430pF input kapasitansı ile hızlı komütasyon özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok