Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP135L6906HTSA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP135L6906

BSP135L6906HTSA1 Hakkında

BSP135L6906HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj yeteneği ve 120mA sürekli drain akımı ile çalışır. Surface mount SOT223-4 paketinde sunulan bu bileşen, 45Ω maksimum on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında işletilmesine uygun olup, 1.8W güç tüketebilir. Düşük gate charge (4.9nC @ 5V) ve kontrollü input kapasitesi (146pF @ 25V) özellikleriyle anahtar uygulamalarında, düşük sinyal anahtarlama devrelerinde ve hassas kontrol gerektiren elektrik işlemlerinde kullanılır. Depletion mode yapısı sayesinde özel kontrol uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 146 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4-21
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 94µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok