Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP135L6433HTMA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP135L6433

BSP135L6433HTMA1 Hakkında

BSP135L6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Depletion Mode N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 120mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, SOT223-4 (TO-261AA) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 45Ohm on-state direnci ile düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında ve maksimum 1.8W güç dağıtımıyla tasarlanmıştır. Gate charge değeri 4.9nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Analog anahtarlama, sinyal yönlendirme ve düşük akımlı kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar. Ürün şu anda üretim dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 146 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4-21
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 94µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok