Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP135L6327HTSA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP135L6327

BSP135L6327HTSA1 Hakkında

BSP135L6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen depletion mode N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source geriliminde 120mA sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, SOT223-4 (TO-261-4) SMD paketinde sunulmaktadır. 10V kapı geriliminde 45Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük kapı şarjı (4.9nC @ 5V) özelliği, hızlı anahtarlama ve enerji verimli tasarımlar için uygun kılmaktadır. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi ve sinyal anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün piyasadan kaldırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 146 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4-21
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 94µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok