Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP135H6433XTMA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP135H6433
BSP135H6433XTMA1 Hakkında
BSP135H6433XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 600V drain-source gerilimi ve 120mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-223 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 10V kapı geriliminde 45Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.8W güç dağıtabilen bu bileşen, düşük güçlü anahtarlama uygulamaları, sinyal kontrol devreleri ve gerilim yönetim sistemlerinde kullanılır. 4.9nC gate charge ve 146pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansını sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 146 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45Ohm @ 120mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 94µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok