Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP135 E6906

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP135

BSP135 E6906 Hakkında

BSP135 E6906, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel depletion mode MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 120mA sürekli dren akımı ile tasarlanmış, 45Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-261-4 (SOT223-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.9nC gate charge ve 146pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun bir seçenektir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.8W güç tüketimi ile belirtilmiştir. Anahtarlama devrelerinde, düşük güçlü kontrol uygulamalarında ve sinyal işleme devreleri içerisinde yaygın olarak kullanılır. Bileşenin hali şu an üretim dışında (Obsolete) olup, yerini daha yeni versiyonlar almıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 146 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 94µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok