Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP135 E6327
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP135
BSP135 E6327 Hakkında
BSP135 E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 120mA sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 10V gate geriliminde 45Ω maksimum on-resistance değerine ulaşır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen BSP135, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde kullanılır. Surface Mount (SMD) paketinde sunulan komponen, sınırlı alan gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarına entegre edilebilir. 4.9nC gate charge ve 146pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 146 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45Ohm @ 120mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 94µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok