Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP129L6906HTSA1

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP129L6906

BSP129L6906HTSA1 Hakkında

BSP129L6906HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistörüdür. 240V drain-source gerilimi ve 350mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C arasında işletim sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 6Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük sinyal kontrol sistemlerinde tercih edilir. 1.8W maksimum güç tüketimi ile sınırlı termal bütçe gerektiren tasarımlarda uygun bir seçenektir. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 240 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 108 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4-21
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 108µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok