Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP129L6327HTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP129L6327
BSP129L6327HTSA1 Hakkında
BSP129L6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen depletion mode N-Channel MOSFET transistörüdür. 240V drain-source gerilimi ve 350mA kontinyu drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (6Ω @ 350mA, 10V) sayesinde verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-261-4 (SOT223) yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, düşük güç kontrol devreleri ve entegre analog-dijital sistemlerde etkin bir çözümdür. 1.8W maksimum güç tüketimi ile enerji açısından ekonomiktir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 108 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 108µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok