Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP129H6327XTSA1

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP129H6327XTSA1

BSP129H6327XTSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSP129H6327XTSA1, depletion mode çalışan bir N-Channel MOSFET transistördür. 240V drain-source gerilimi ile 350mA sürekli dren akımına sahip bu bileşen, düşük on-resistance değeri (6Ω @ 350mA, 10V) sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT223-4 (PG-SOT223-4) yüzeye monte paket türü ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır. Gate charge değeri 5.7nC, input kapasitans ise 108pF'dir. Endüstriyel kontrolcüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 240 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 108 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 108µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok