Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP129E6327T
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP129
BSP129E6327T Hakkında
BSP129E6327T, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistörüdür. 240V drain-source voltaj aralığında 350mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Surface Mount SOT223-4 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 6Ω maksimum RDS(on) değerine ve 5.7nC gate charge karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı desteği sunar. Anahtarlama uygulamaları, darbe genişlik modülasyonu (PWM) kontrol devreleri ve düşük güç sürücü uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.8W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve consumer elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 108 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 108µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok