Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP129E6327
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP129
BSP129E6327 Hakkında
BSP129E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 240V drain-source gerilimi ve 350mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 6Ω maksimum on-resistance (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-261-4 (SOT223) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 1.8W maksimum güç tüketimine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 5.7nC gate charge ve 108pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 108 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 108µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok