Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP125L6327HTSA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP125L6327

BSP125L6327HTSA1 Hakkında

BSP125L6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajına sahip bu bileşen, 120mA sürekli drain akımı ile çalışabilir. 45Ω maksimum on-dirençi (Rds On) ve 10V kapı sürüş voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT223-4 paketinde sunulan BSP125L6327, anahtarlama güç kaynakları, PWM kontrol devreleri ve düşük gücü motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığını destekler ve maksimum 1.8W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Ürün obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4-21
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok