Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP125H6433XTMA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP125H6433
BSP125H6433XTMA1 Hakkında
BSP125H6433XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim derecelendirmesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 120mA sürekli drain akımı kapasitesi ile kontrol ve anahtarlama görevlerinde etkindir. 4.5V ve 10V drive voltajında çalışabilen bileşen, düşük gate charge (6.6 nC) karakteristiği sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. SOT223-4 (TO-261AA) paketinde sunulan bu MOSFET, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, aydınlatma sistemleri ve indüktif yükler içeren uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok