Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP125H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP125H6327
BSP125H6327XTSA1 Hakkında
BSP125H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim derecelendirmesi ve 120mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 45Ω maksimum on-direnci (RDS-on) 10V gate geriliminde belirtilmiştir. SOT223-4 SMD paketlemesi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun kompakt bir çözüm sunar. Güç yönetimi, anahtarlama devre uygulamaları, sensör sürücüleri ve kontrol elektroniklerinde kullanım için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45Ohm @ 120mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok