Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP125 E6433

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP125

BSP125 E6433 Hakkında

BSP125 E6433, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 120mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-261-4 (SOT223) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 45Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 1.8W maksimum güç harcaması ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. Gate charge değeri 6.6nC olup, hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok