Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP125 E6327
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP125
BSP125 E6327 Hakkında
BSP125 E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi ve 120mA maksimum sürekli dren akımı özellikleriyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 45Ohm maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama hızı ve verimlilik sağlar. SOT223-4 (PG-SOT223-4) yüzey monte paketi sayesinde kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, koruma devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. 6.6nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45Ohm @ 120mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok