Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP123L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP123L6327
BSP123L6327HTSA1 Hakkında
BSP123L6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 370mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 6Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate şarjı 2.4nC ve giriş kapasitesi 70pF olan transistör, analog anahtarlama devreleri, düşük güçlü DC-DC dönüştürücüler ve sinyal kontrol uygulamalarında yer alır. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 1.8V gate-source eşik voltajı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 370mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 70 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.79W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 370mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok