Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP123E6327T
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP123
BSP123E6327T Hakkında
BSP123E6327T, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilim ve 370mA sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, düşük kaynaklanmış direnci (Rds On: 6Ω @ 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli işlem yapabilir. SOT223-4 yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate kapasitansı 70pF ve gate şarj kapasitesi 2.4nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Tüketici elektronikleri, güç yönetimi devrelerinde, DC/DC dönüştürücülerde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün üretim dışı durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 370mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 70 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.79W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 370mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok