Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSO613SPVGXUMA1

MOSFET N/P-CH 8-SOIC

Paket/Kılıf
PG-DSO-8-6
Seri / Aile Numarası
BSO613

BSO613SPVGXUMA1 Hakkında

BSO613SPVGXUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 3.44A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 130mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-pin SOIC SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve anahtarlanmış güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 2.5W maksimum güç saçabilir. ±20V gate gerilimi toleransı ile geniş uygulanabilirlik sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.44A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3.44A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok