Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSO613SPVGHUMA1

MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO

Paket/Kılıf
PG-DSO-8
Seri / Aile Numarası
BSO613

BSO613SPVGHUMA1 Hakkında

BSO613SPVGHUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 3.44A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 130mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Surface mount 8DSO paket tipinde sunulan BSO613, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve düşük voltaj regülatör tasarımlarında kullanılır. 30nC gate charge ve 875pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.44A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3.44A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok