Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSO613SPV

MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO

Paket/Kılıf
PG-DSO-8
Seri / Aile Numarası
BSO613S

BSO613SPV Hakkında

BSO613SPV, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim, 3.44A sürekli dren akımı ve 130mOhm on-direnci ile karakterize edilmiştir. 10V drive voltajında çalışır ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 8-pin DSO (DIP) pakette surface mount olarak sunulur. Gate charge değeri 30nC, input kapasitansi ise 25V'da 875pF'dir. 2.5W maksimum güç tüketimi ile voltaj kontrol uygulamaları, güç anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaya uygundur. Lojik seviye komutlamasında yüksek hız ve düşük güç kaybı sağlar. Bileşen üretimi durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.44A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3.44A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok