Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSO203SPNTMA1

MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO

Paket/Kılıf
PG-DSO-8
Seri / Aile Numarası
BSO203SPNTMA1

BSO203SPNTMA1 Hakkında

BSO203SPNTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 21mOhm on-resistance değeri ile düşük kaynağa sahiptir. Surface Mount PG-DSO-8 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, maksimum 50.4nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. 2.35W maksimum güç tüketimi ile enerji verimli tasarımlar için uygundur. ±12V maksimum gate gerilimi ile güvenli operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2265 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.35W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 9A, 4.5V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok