Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSO200P03SHXUMA1

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

Paket/Kılıf
PG-DSO-8
Seri / Aile Numarası
BSO200P03SH

BSO200P03SHXUMA1 Hakkında

BSO200P03SHXUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 7.4A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, yüksek entegrasyon düzeyine sahip analog ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Açık durumdaki (on-state) dirençi maksimum 20mOhm olup, bu da düşük güç kaybı sağlar. Surface mount pakete (8-pin DSO) yerleştirilen BSO200P03SHXUMA1, -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Uygulamaları arasında anahtarlama devreleri, güç dağıtımı, motor kontrol ve batarya yönetim sistemleri bulunmaktadır. 1.56W maksimum güç yayılımı ve düşük gate charge değeri (54nC @ 10V) ile hızlı anahtarlama işlemleri destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.1A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok