Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSO130P03SHXUMA1

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO

Paket/Kılıf
PG-DSO-8
Seri / Aile Numarası
BSO130P03SH

BSO130P03SHXUMA1 Hakkında

BSO130P03SHXUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ile 9.2A sürekli drenaj akımı sağlar. 13mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı karakteristiğine sahiptir. Gate charge 81nC olup, 10V drive voltajda çalışır. Surface mount 8DSO paketinde tedarik edilir. -55°C ile 150°C arasında sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve motorlar gibi endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3520 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 11.7A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 140µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok