Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSO119N03S

MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO

Paket/Kılıf
PG-DSO-8
Seri / Aile Numarası
BSO119N03S

BSO119N03S Hakkında

BSO119N03S, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 9A sürekli drain akımı ve 11.9mOhm (10V, 11A koşullarında) on-state direnç özellikleriyle kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. Surface mount PG-DSO-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyallerle kontrol edilebilen anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 13nC gate charge ve 1730pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon gerektiren anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve load switching uygulamalarında yer alabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihazlarda güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1730 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok